方国家
一、 简介
方国家，男，教授、博士生导师。1984年7月毕业于湖北师范学院物理系，获学士学位。1993.9～1995.12华中理工大学凝聚态物理专业研究生，获理学硕士学位及华中理工大学优秀硕士学位论文一等奖。1996.3~1997.3 在英国伦敦大学帝国理工学院（Imperial College London）电子工程系光半导体器件研究室访问工作，同Mino Green教授合作，从事多孔二氧化硅及WO3光半导体器件方面的研究工作。1997.9~2000.11华中理工大学激光技术国家重点实验室博士研究生，主要从事脉冲准分子激光技术沉积三氧化钨、五氧化二钒宽带隙薄膜及电致变色器件方面的研究工作，获电子科学技术学科（物理电子学专业）工学博士学位和湖北省优秀博士学位论文奖。 2001~2003年在清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室做博士后。主要从事宽带隙ZnO、MgO薄膜及场致电子发射器件方面的研究工作。期间独立承担并完成中国博士后基金项目一项。作为主要成员参加了国家自然科学基金、教育部博士点基金项目，国家经贸委资助（场助热电子发射平板显示器件）研究项目、清华大学985项目(场助电子发射显示阴极)的研究工作。 2003年7月博士后出站来武汉大学物理科学与技术学院工作。2003.12~2004.12再次作为访问学者在英国伦敦大学帝国理工学院电子工程系从事纳米岛光刻技术、硅纳米结构、纳微米加工技术、场致电子发射等方面的研究工作。1997年起享受湖北省政府专项津贴。1999年被批准为湖北省高校跨世纪学科带头人。2002年入选湖北省新世纪高层次人才工程。在国内外重要刊物发表论文六十余篇。收录入SCI、EI论文七十余篇次。多篇论文被国际国内刊物他人引用。多次获湖北省自然科学优秀学术论文。目前主要从事纳米岛光刻技术（Island Lithography）及硅纳米器件、氧化物半导体低维纳米结构及发光显示器件、宽禁带半导体光电子薄膜及场致电子发射器件等方面的研究工作。现为国际信息显示器协会(SID)会员、全国高协组织教材研究与编写委员会委员、湖北省青年科技工作者协会理事、国家自然科学基金委信息学部、数理学部、材料科学与工程学部通讯评审人。J. Phys Chem、Physica Status Solidi A、Physica Status Solidi:RRL、Nano Trends、Electrochemical and Solid State Letters、Journal of Material Science and Technology、Journal of Material Science、《物理学报》《物理化学学报》《功能材料与器件学报》等重要学术杂志的特邀审稿人。
二、研究方向
1． 纳米岛光刻技术（Nano-Island Lithography）与硅纳米器件（如硅纳米岛、纳米锥尖、纳米柱、纳米井、纳米线的制备、量子特性及相关应用研究（如超低浓度化学分子、生物分子（如R6G,DNA）的高效智能检测））；
2． 低维纳米结构与纳光电子器件(如新型ZnO纳米线染料敏化太阳能电池, ZnO、Si纳米线场发射显示阴极器件、异质pn结、气敏传感器件、光电探测器)；
3． 宽禁带半导体光电薄膜与器件（如平板显示器ZnO:Al透明电极薄膜；薄膜晶体管(TFT); 表面传导场致电子发射器件SED；基于宽禁带半导体ZnO、MgO的能带工程、p型导电膜及异质结、超晶格、量子阱结构及相关量子结构器件的应用研究（如发光器件、紫外光探测器等））
三、培养研究生情况
硕士研究生已毕业4人。现指导硕士生6人，博士生2人。拟每年招收博士后研究人员或进修人员1-2人，博士生（及硕-博连读生）2-3人。
四、研究成果
1. Silicon nanostructures and field emission(硅纳米结构及场发射)