FED电视机
FED英文全称是Field Emission Display，即场致发射显示器。依电子发射源而分，FED又可分为CNT（碳纳米管型）、SED（表面传导型）、Spindt（圆锥发射体型）、BSD（弹道电子放射型）等类型。目前最为看好的应用主要是CNT和SED两大技术体系。
FED类型开发状况
FED的发光原理和传统的CRT电视非常相似，都是利用电场吸引阴极电子源发射电子束，撞击荧光物质发光。但FED在物理结构上却与CRT截然不同。CRT是用一组电子枪负责整个屏幕的显示，因此电子枪必须以扫描的方式才能生成一幅完整的画面。而FED则将电子枪微型化，每一个像素点都有三个微型电子枪分别对应像素点上RGB三色。不同种类的FED，萤光屏侧的阳极基板没有太大不同，差别仅在于电子发射方式，即阴极基板侧的电子发射源各有不同。比如佳能公司开发的SED技术，三星、三菱和摩托罗拉一直在研发的碳纳米管技术，飞利浦、日立和先锋公司也在研制类似FED的技术等。
FED横断面
FED 基本结构为两块平板玻璃和一层空间，即由电子发射源板和荧光显示屏两部分组成，上层为荧光屏板，下层为微阵列电子发射源板，相互靠得很近。在每个像素点后面不到3mm处都放置了成千上万个极小的电子发射器。电子源撞击像素点上的荧光物质（RGB），显示屏就呈现出不同的图形与色彩。所以，FED和等离子（PDP）、液晶（LCD）一样，都属于“定址（Addressed）显示器”，在显示画面时不需要扫描。
早在1928年场发射电极理论就被提出，但直到1990年法国电子学实验室LEII的Meyer小组研究成功FED世界第一个显示器样机，FED才引起广泛的重视。在FED 技术发展初期，以法国为代表的FED研究主要应用于军事设备上。FED的发展在很大程度上依赖于材料工业的发展，因此只有纳米技术发展到今天，FED技术才得到了良好发展。近几年随着日本公司和韩国公司的加入，FED加快了民用化发展步伐。2001年，日本伊势公司展出的一款亮度就达到了1万流明的15英寸FED产品，2002年伊势电子又开发出了40英寸FED面板。韩国三星公司也在2002 年研制成功32英寸的FED面板。
FED结构
从理论上说，FED产品能比等离子或液晶平板电视更轻薄，能量消耗比等离子或液晶小得多。并具备CRT电视的高亮度、高对比度、高分辨率、高响应速度和宽视角的优势，从任一角度都可看到清晰图像，并无CRT的电磁辐射和X射线辐射，成本也不高。
目前，日本、韩国和英国等各大显示器件大公司投入巨资研发大尺寸FED，掀起了第二代FED研发热潮。他们有韩国三星、LG，日本的佳能、东芝、索尼、松下、先锋、日立、富士通，以及我国的TCL、海信、创维、长虹等电视厂商等。
FED技术原理与发展
场发射电极理论最早是在1928年由R.H.Eowler与L.W.Nordheim共同提出，不过真正以半导体制程技术研发出场发射电极元件，开启运用场发射电子做为显示器技术，则是在1968年由C.A.Spindt提出,随後吸引後续的研究者投入研发.
不过,场发射电极的应用是到1991年法国LETI CHENG公司在第四届国际真空微电子会议上展出一款运用场发射电极技术制成的显示器成品之後,场发射电极技术才真正被注意,并吸引Candescent、Pixtech 、Micron、Ricoh、Motorola、Samsung、Philips等公司投入，也使得FED加入众多平面显示器技术的行列。
在场发射显示器的应用，发射与接收电极中间为一段真空带，因此必须在发射与接收电极中导入高电压以产生电场，使电场刺激电子撞击接收电极下的萤光粉，而产生发光效应。此种发光原理与阴极射线管（CRT）类似，都是在真空中让电子撞击萤光粉发光，其中不同之处在CRT由单一的电子枪发射电子束，透过偏向轨（Deflation Yoke）来控制电子束发射扫瞄的方向，而FED显示器拥有数十万个主动冷发射子，因此在构造上FED可以达到比CRT节省空间的效果。其次在於电压部分，CRT大约需要15~30KV左右的工作电压，而FED的阴极电压约小於1KV。
虽然FED被视为可取CRT的技术，不过在发展初期却无法与CRT的成本相比，主要原因是场发射元件的问题。最早被提出的Spindt形式微尺寸阵列虽然是首度实现发射显示的技术，但它的阵列特性却限制显示的尺寸，主要原因是它的结构是在每个阵列单元上包含一个圆孔，圆孔内含一个金属锥，在制作过程中微影与蒸镀技术均会限制尺寸的大小。
解决之道是采用取代Spindt场发射元件的技术.1991年NEC发表一篇有关奈米碳管的文章後,研究人员发现以奈米结构合成的石墨,或是奈米碳管作为场发射元件能够得到更好的场发射效率,因此奈米碳管合成技术成为FED研发的新方向.
目前在奈米碳管场发射显示器领域,以日本伊势电子与韩国Samsung投入较早,而SONY、日立、富士写真、Canon、松下、Toshiba、Nikon与NEC等厂商也以提出与奈米技术相关的专利申请，其中又以奈米碳管为主要的研发项目.
在大尺寸场发射显示面板则首推日本伊势电子，该公司曾使用化学气相沈积法成功制作出14.5寸的彩色奈米碳管场发射显示器，其亮度达10,000cd/m2.另外，韩国Samsung也发表单色、600cd/m2的15寸奈米碳管场发射显示器，并计画发展使用在电视机的32寸奈米碳管场发射显示器，成功实现100伏特以下的低电压驱动结果。