力晶半导体
公司简介力晶于八十三年十二月创立于新竹科学园区，业务范围涵盖动记忆体制造及晶圆代工两大类别。八十七年以科技类股票在台湾正式挂牌上柜。八十八年发行全球存托凭证，成为我国第一家在卢森堡证券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底，力晶拥有六千一百位员工，资本额达新台币七百八十二亿元，年度营收为新台币七百七十五亿元。
为提升国际竞争力及科技实力，力晶在设立之初即和日本三菱电机缔结技术、生产与销售的策略联盟；目前则与日本DRAM大厂尔必达（Elpida）合作产销最尖端DRAM产品。另一方面，力晶亦为日商瑞萨科技(Renesas Technology Corp.)的主要代工夥伴，发展系统晶片(System LSI)产品。九十五年力晶和尔必达签订共同开发50奈米DRAM制程技术备忘录，掌握关键科技自主能力；同年，力晶也与瑞萨达成协议，取得AG-AND Flash技术授权，成为我国第一家具备高容量快闪记忆体产销实力的半导体厂商。
力晶位於新竹科学园区的首座八吋晶圆厂（8A厂）自八十五年开始运转，投入生产DRAM，并於今年分割独立为钜晶电子(股)公司，专注于利基型DRAM、驱动IC等晶圆代工之业务；目前力晶拥有三座总月产能达十三万片的十二吋晶圆厂(P1/P2/P3厂)，为全国最大的记忆体制造公司。九十五年十二月，力晶更与尔必达於台湾中部科学园区后里基地合资设立瑞晶电子公司，计画斥资新台币4,500亿元建置全球最大十二吋晶圆DRAM厂区。另外，力晶也於今年动土兴建第四座与第五座十二吋晶圆厂（P4/P5厂）。
精进技术、服务客户、成为稳定获利的世界级半导体公司，是我们的愿景。力晶以先进的科技和产能，针对资讯、通信及消费性电子市场提供多样化的DRAM产品、高容量快闪记忆体(Flash)、CMOS影像感测器及多元化代工服务。未来，力晶将持续推展国际合作策略、引进尖端科技、稳健投资扩张，在快速变迁的高科技产业中累积竞争优势，成为与客户共创双赢的全方位记忆体供应商。
历史沿革
1994 年 12 月 力晶半导体股份有限公司成立。
1995 年 03 月 八吋晶圆厂(8A厂)动土典礼。
1996 年 04 月 8A厂正式启用。
10 月 8A厂开始量产0.40微米 16Mb DRAM / SDRAM。
1997 年 12 月 获颁 ISO 9002 国际品保系统验证证书。
1998 年 02 月 8A厂量产 0.30 微米 64Mb DRAM / SDRAM。
03 月 公司股票正式以科技类股於柜买中心挂牌上柜。
07 月 切入代工服务领域有成，第一家美国代工客户产品试产成功。
12 月 获颁 ISO 14001 国际环境管理系统验证证书。
1999 年 06 月 与世界先进及三菱电机签订策略联盟合作备忘录，共组联盟关系。
11 月 发行第一次海外存托凭证，总金额达美金288,900,000元。
2000 年 07 月 举行第一座十二吋晶圆厂(P1厂)动土典礼。
2001 年 05 月 发行第一次公司债(含海外公司债)，总额达美金200,000,000元。
09 月 荣获经济部工业局所举办的第十二届「品质优良案例奖」。
2002 年 10 月 通过OHSAS 18001职业安全卫生评估系列验证。
11 月 第一座十二吋晶圆厂(Fab P1)正式量产。
2003 年 01 月 谢再居博士接任总经理肩负营运重责。
08 月 力晶与日本Elpida公司正式签订0.10、0.09微米技术转移合约。
10 月 第二座十二吋晶圆厂(P2厂)动土典礼。
2004 年 04 月 力晶十二吋晶圆厂代工业务正式投片。
09 月 力晶员工诊所开幕。
2005 年 01 月 获颁ISO / TS 16949证书。
03 月 P2厂正式启用。
05 月 力晶开始以十二吋晶圆厂生产高容量快闪记忆体。
2006 年 01 月 与旺宏达成协议购入晶圆厂房，并命名为 12M厂。
02 月 与瑞萨 (Renesas) 达成AG-AND 快闪记忆体技术授权协议。
12 月 与尔必达签订合作备忘录，将设合资公司以新台币4,500亿元於台湾中部建置全球最大12吋晶圆DRAM厂区；双方并决定共同开发50奈米DRAM制程技术。
2007 年 06 月 力晶研发测试中心动土典礼。
10 月 与尔必达合资之瑞晶电子公司第一座十二吋晶圆厂(R1厂)启用。
2008 年 04 月 8A厂独立为钜晶电子公司。
4 月 与日商瑞萨、SHARP合资设立Renesas SP公司，共同拓展LCD驱动晶片市场。
4 月 第四/五座十二英寸晶圆厂(P4/P5厂)动土。