IGBT场效应半导体功率器件导论
作者：袁寿财著
ISBN：10位［7030200411］13位［9787030200419］
出版社：科学出版社
出版日期：2008-1-1
定价：￥38.00元
内容提要本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等，重点讨论IGBT，同时对其他器件如VDMOS、CoolMOS等也作了简单介绍。本书着重阐述基础理论，并适当吸收该领域近期的研究报道，各章后附有相关参考文献，书后还附有全书统一使用的符号表。
本书可作为高等院校电子科学与技术专业、微电子与固体电子学专业的教学用书，也可供从事物理专业及电子信息专业领域的教师、科研人员、研究生和本科生等参考阅读。
编辑推荐本书系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等，重点讨论了IGBT，同时对其它器件如IGCT、IGCT等也作了简单介绍。书中注意强调基础理论的阐述，并适当吸收该领域近期的研究报道，各章后都附有相关参考文献，书的最后还附有主要参考书目和贯穿全书统一使用的符号表。
作者简介袁寿财，生于1963年3月，陕西省商洛山阳县人。1985年，获西安交通大学半导体物理与器件专业工学学士；1988年，获陕西微电子学研究所（陕西临潼）硕士学位（VLSI研究方向）；2003年，获西安交通大学电子科学与技术学科工学博士学位。现为赣南师范学院（江西省赣州市）物理与电子信息学院教师。从事半导体大功率器件、新材料新器件及微纳电子器件与电路的研究和教学工作。先后参与机械工业部“八五”科技攻关项目、国家自然科学基金及国家863计划等多项科研项目。2004年4月，“一种硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管的制备方法”取得了国家发明专利。发表的学术论文中，SCI收录4篇，EI收录5篇。
目录序
前言
第1章绪论
1.1半导体功率器件与电力电子技术
1.2半导体功率器件及其主要应用领域
1.3电力电子与民族工业的振兴
1.4本书的主要内容和章节安排
第2章半导体功率器件技术回顾
2.1引言
2.2双极结型晶体管（BJT）技术
2.3场效应晶体管（FFT）技术
2.4MOSFET的发展历程
2.5绝缘栅双极晶体管（IGBT）
2.6其他半导体功率器件
2.7半导体新材料和新器件
2.8IGBT等半导体功率器件的应用
2.9小结
参考文献
第3章IGBT的工作机理分析
3.1引言
3.2IGBT的基本结构及输出，I-V特性
3.3IGBT工作机理的数值分析
3.4IGBT重要电性能参数的分析和优化设计
3.5小结
参考文献
第4章IGBT准数值分析模型
4.1引言
4.2IGBTn-区压降计算的准数值模型
4.3IGBTn-区压降计算的PIN二极管模型
4.4IGBT样品测量与模型计算的比较
4.5小结
参考文献
第5章IGBT的等效电路模型
5.1引言
5.2IGBT等效电路的建立
5.3IGBTn-区电阻的VCR模型
5.4IGBT等效电路模型参数的非破坏测试和提取
5.5模拟与测量的比较与讨论
5.6小结
参考文献
第6章IGBT的开关特性和温度效应
6.1引言
6.2IGBT关断特性的分析
6.3IGBT温度效应的分析
6.4小结
参考文献
第7章平面工艺IGBT设计与制作
7.1引言
7.2半导体功率器件的衬底材料
7.3平面工艺IGBT设计与制作
7.4全自对准浅结平面工艺IGBT设计
7.5制作芯片的测试与结果分析
7.6小结
参考文献
第8章TrenchGate（槽栅）IGBT结构和工艺
8.1Trench工艺的提出
8.2Trench工艺的发展
8.3Trench的几种结构
8.4Trench结构的优势与不足
8.5难熔金属硅化物工艺
8.6全自对准TrenchGateIGBT结构与工艺设计
8.7电力电子新器件与新工艺
8.8小结
参考文献
第9章pn结击穿与终端保护技术
主要符号表