drmos
DrMOS微星科技（MSI） 的DrMos技术属于Intel在04年推出的服务器主板节能技术，是将传统MOSFET供电中分离的两组MOS管和驱动IC以更加先进的制程整合在一片芯片中，它的加入能够让服务器在工作时更稳定，更节能。三合一封装的DrMOS面积是分离MOSFET的1/4，功率密度是分离MOSFET的3倍，增加了超电压和超频的潜力。应用DrMOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。
DrMOS的特点，它能够在主板高负荷运作时，比其他厂牌同级主板有更高的用电效率，减少能源浪费，进而达到省电的效果；而在超频效果上，透过DrMOS的超低电 源反应时间和低阻抗特性，可以轻松应付狂热玩家对高端主板更严苛的超频工作，大幅提升整体效能。
此外，系统在高负荷运作时，DrMOS芯片的发热量低，减少了热能产生，自然也降低了风扇噪音，增加系统稳定性。经测试，同样条件下，传统供电部分的MOSFET温度可达121摄氏度，而DrMOS最大温度为68.9摄氏度，DrMOS温度要比传统供电部分的MOSFET温度约低一半，无疑会给用户带来超稳定的工作效率，对超频用户来说更是如虎添翼。