雪崩触发俘获等离子渡越时间二极管
雪崩触发俘获等离子渡越时间二极管（TRAPATT diode，Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit Diode）：
这是在IMPATT二极管工作的基础上、以另外一种特殊的机理来实现微波振荡的渡越时间器件（TTD）。因为IMPATT二极管在大注入情况下的空间电荷效应将非常强，使得漂移区中电场的分布发生变化；则随着电荷的推移，就可以造成漂移区依次被击穿 (即雪崩区向前推进)，并达到整个漂移区击穿 (即形成等离子体区)，这时电导增大、电场降低，即输出一个电流脉冲，并同时雪崩作用停止；然后漂移区中的等离子体逐渐解体，当等离子体消失后，电场又升高，并重复先前的过程，……，这样就产生了微波振荡。
TRAPATT二极管的基本特性是：a）由于是利用大注入下的空间电荷效应来工作的，故工作电流大；b）工作时整个漂移区被击穿了，则噪声要比IMPATT二极管的还要大；c）因为是工作在“IMPATT二极管模式+空间电荷效应”的状态下，故雪崩过程对TRAPATT二极管起着触发的作用；d）因为工作时整个漂移区是等离子体区，则称为俘
获等离子体模式；e）因为等离子体可承受低电压、大电流，故TRAPATT二极管的输出功率和效率都很高——是高功率、高效率的一种TTD的工作模式 (例如，1.1GHz时的功率可达1.2KW，0.6GHz时的效率可达到75% )。至于TRAPATT二极管的工作频率，因为雪崩区推进的速度较快，则主要是决定于漂移区中等离子体的解体速度，因此工作频率一般都比较低一些（在毫米波以下）。[1]