PLD空薄膜材料制备系统

自1987年贝尔实验室用准分子激光研制出高质量钇钡铜氧超导薄膜以来，人们发现这种方法是制备薄膜的最好方法之一，可以制出各种铁电、介电、巨磁阻、半导体、金属等薄膜和多种超晶格，异质结，P-N结等数百种薄膜以及多层结构。

一束聚焦脉冲激光打到位于真空室内的旋转靶，焦点处的靶材迅速被加热到2000－10000 K, 靶材物质瞬间被汽化、电离并膨胀而形成羽状辉光（简称羽辉）。羽辉中的物质与被加热到一定温度的基片相遇时就在其上淀积成膜。

激光淀积过程中生长室可以充气，气压一般为10－8－100Pa 之间，所充气体可以是氧、氮、氢、氩……气体，也可以是电离气体或其它活性气体，还可以是化合物气体。

主要用途：多真空室，采用分子泵抽气系统，真空度可达10-6Pa。具有磁控溅射靶及离子源，样品加热、自转、公转、转递，可用于制备金属膜、介质膜及半导体薄膜等。

主要特点:脉冲激光制备薄膜的优点是：

1、薄膜成分容易实现与靶材一致；

2、淀积速率快，一般比射频溅射法快6－10倍；

3、薄膜质量高，膜层和基底之间互扩散小；

4、容易引入新的单元技术，如引入高能电子衍射（RHEED）原位实时监测薄膜生长，引入活性气体技术等。

5、使用范围宽，尤其适用制备高熔点材料薄膜；

6、便于在相对高气压条件下工作。