IMPATTdiode一种具有负阻特性的周态微波二极管，其特性系由薄基片中的碰撞雪崩击穿效应和载流子渡越时间效应结合产生，而基片通常由砷化镓或硅制成。当将这种二极管适当地安装在可调谐腔体或波导中时，它便可以成为工作在千兆赫频段上的振荡器或放大器。