非晶态半导体器件 amorphous semiconductor device
以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。人们原来认为，对非晶态半导体不能用掺杂的办法控制电阻率，因而其应用受到限制。直到1975年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，可以使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，为非晶硅和其他非晶半导体器件开辟了道路。