梁骏吾
□ 姓名:梁骏吾
□ 籍贯:湖北武汉
□ 工作单位:中国科学院半导体研究所
□ 职务:研究员
□ 所在学部:中国工程院 信息与电子工程学部
□ 专业特长:半导体材料
简介：
梁骏吾 (1933.9.18-- ) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学，1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面, 将我国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次，以及其它国家部级奖励多次。
1997年当选为中国工程院院士。
工作简历：
1960-1969,半导体研究所,副室主任;助研
1970-1978,湖北宜昌半导体厂,助理研究员
1978-,半导体研究所,研究员
学术或专业团体任职：
1984-,中国电子学会电子材料分会,副主任委员
1991-,中国材料研究学会,理事
1985-,中国电子学会,会士
专业领域:
半导体材料
研究成就：
1978-1980,解决VLSI用硅单晶,主持
1983-1988,首创掺氮中子单晶,主持
1985-1995,硅外延材料制备,主持
1990-1994,生长超晶格量子阱材料,主持
获奖:
1964,高纯区溶硅单晶,国家科学技术委员会,科学技术成果奖, 二等
1980,16K位MOS动态随机存储器,中国科学院,科学技术成果奖, 一等
1988,掺氮中子嬗变硅单晶,中国科学院,科学技术进步奖, 一等
1985,LPE GaAlAs/GaAs异质结构缺陷研究,晶体生长杂志,
1990,半导体,化工出版社,
1991,水平式外延系统的计算机模拟,电子学报19,30,
成果
1、减压薄层硅外延片