相变内存

【搜狐IT消息】据国外媒体3月7日报道，相变内存是下一代内存（闪存）技术，英特尔和IBM各自带领盟友正在展开较量。英特尔公司高层日前表示，其相变内存样品将在今年二季度提供给设备制造商客户。

相变内存的英文是“Phase-Change Memory”，简称“PCM”，是一种非易失性的内存产品。

相变内存结合了DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性，被业界视为未来闪存和内存的替代品。

日前在英特尔公司总部，该公司闪存业务的首席技术官Doller向新闻界介绍了这种先进的内存技术。他说，从理想的角度说，人们需要一种能够保存数据的DRAM，而相变内存将满足这一需求。

相变内存的另外一个优点是，可以在不删除现有数据的情况下写入数据，这比如今的内存更为快捷。根据统计，相变内存的功耗只有现有闪存的一半，但是读写速度可以达到闪存的1000倍。

目前，英特尔公司和意法半导体公司正在联合研发这种新内存。作为竞争对手的IBM也同奇梦达（来自英飞凌）、美光科技合作，也在进行相关研究。去年9月份，英特尔公司展示了一枚初级的128相变内存芯片样品，据称使用90纳米工艺制造。（沈维霓编译）

由IBM等公司合作研发的一种新型相变内存技术，在存储密度、速度和功耗等方面取得了跳跃式进展．

在存储密度、速度和功耗等方面取得了跳跃式进展，在未来有望对闪存或磁硬盘技术带来挑战，尤其是将先在音乐播放器、数码相机等便携式设备中取代当前流行的闪存，并终有一天取代硬盘。

采用该技术制造出的一个原型设备，可以实现500倍于当前闪存技术的数据读写速率，而功耗只是闪存的一半。它采用的生产工艺达到22nm，比当前最先进的45nm更领先，因此存储单元的尺寸更加细微。相变内存可以重复写入10万次以上，比闪存更加耐用；此外，相变内存还是比闪存更加有效和高效的非挥发性内存。

当前的闪存技术总有一天会因电流泄漏等问题而难以遵循摩尔定律发展下去，相变内存将成为其救星。据悉，该新技术在进入实际应用过程中还面临着生产工艺和生产成本方面的主要障碍，预计2015年左右会市场化。