潘瑞芹

王朝百科·作者佚名  2010-02-19  
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潘瑞芹

姓名: 潘瑞芹

性别: 男

出生年月: 19350101

民族: 汉

毕业院校:北京大学

学科: 电子、通信与自动控制技术

最终学历: 本科

技术职称: 教授

工作单位: 北京大学微电子学研究所, 所长

单位所属机构: 高等院校

是否院士: 待定 国籍: 中国

个人简介:

1958年从北京大学物理系半导体专业毕业。此后一直在北京大学从事微电子学的教学和科学研究工作,特别是关于集成电路新工艺、新器件和新结构电路的研究。曾先后完成14项国家重大科学技术项目,获11次国家和部委级奖励,发表著作五部,论文100余篇,专利5项。现任北京大学微电子学研究所所长等多项职务。

工作简历:

1985-,北京大学微电子学研究所,教授

1958-1980,北京大学物理系,助教; 讲师

1980-1982,北京大学计算机科学技术系,副教授

1982-1983,加州大学伯克莱分校,访问学者

学术或专业团体任职:

1987-,世界无线电联盟半导体(D)委员会中国委员会,主席

1985-,中国电子学会,常务理事;会士

1987-,美国电气与电子工程师协会,高级会员

专业领域:

微电子学

研究成就:

1970-1976,MOS集成电路硅栅N沟道技术,主持

1980-1992,多晶硅氧化动力学和电学性质研究,主持

1980-1995,新器件、新工艺和新结构集成电路,主持

1980-,SOI/CMOS电路研究,主持

获奖:

1991,多晶硅薄膜氧化动力学的研究,电化学学会杂志,

1995,决定多晶硅发射极晶体管中载流与输运机制的解析模型,IEEE 电子器件,

1991,大规模集成电路中多晶硅薄膜氧化动力学和电学性质研究,国家教育委员会,科学技术进步奖, 一等

1990,VLSI/ULSI MOS结构氧化层陷阱电荷弛豫方法与测试技术,国家科学技术委员会,发明奖

198801,多晶硅薄膜及其在集成电路中的应用,科学出版社,

1978,硅栅N沟道1024位MOS动态随机存储器,全国科学大会,全国科学大会

 
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