脉冲真空电弧离子源

王朝百科·作者佚名  2010-01-18  
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脉冲真空电弧离子源,也称为脉冲等离子体发生器或脉冲多弧离子源。它可在高真空下(3X10-3Pa以上),利用真空脉冲电弧放电使阴极材料蒸发并电离,形成纯净的等离子体,沉积在基片上之后形成所需膜层。由于在整个工艺过程中只产生纯等离子体,膜层性能稳定,可在低温下生成表面光滑细致且附着力极好的高质量膜层。

该离子源可用于各类金属膜、合金膜以及类金刚石薄膜的镀制。采用脉冲真空电弧离子镀技术来研制类金刚石薄膜,不需要氢及其它含氢化合物,所以获得的膜层中不含氢,这一新技术目前在国内只有我院独家掌握。采用这一新技术镀制类金刚石薄膜的主要优点有: (1)膜层性能稳定;(2)3.4/μm处无吸收峰。

主要技术指标:脉冲真空电弧离子源工作条件及相关参数:真空度: 5X10-2Pa~以上;阴极工作电压: 60~400伏 ; 起弧极工作电压: 300~800伏;脉冲频率: 1—10Hz

 
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